政務公開 > 政策公開 > 規範性文件
  1. [主題分類] 經濟、交通/信息產業
  2. [發文機構] 北京市科學技術委員會、中關村科技園區管理委員會
  3. [聯合發文單位]
  4. [實施日期] 2022-08-05
  5. [成文日期] 2022-08-05
  6. [發文字號] 〔〕
  7. [廢止日期] 2022-08-28
  8. [發布日期] 2022-08-05
  9. [有效性]
  10. [文件來源] 政府公報 年 第期(總第期)

關於征集2022年度新一代信息通信技術創新專項集成電路領域課題的通知

  為促進我市集成電路科技創新及產業發展,現麵向本市創新主體公開征集2022年度集成電路領域課題。2022年度擬在集成電路領域計算芯片、模擬芯片、EDA工具等3個方向開展課題征集,擬支持10個課題,擬安排市財政科技經費4200萬元。課題統一按指南二級標題(如 1.高能效存內計算芯片)的研究方向申報。2022年度集成電路領域具體指南方向及申報要求如下:

  一、征集方向

  (一)新型架構計算芯片

  1.高能效存內計算芯片

  麵向物聯網、移動終端、智能無人係統等場景對高能效計算的需求,針對現有計算架構中“功耗牆”“內存牆”等係列問題,研製基於傳統或新型存儲器件的存內計算芯片。研究存內計算單元及其工藝實現,研究新型存內計算架構及係統關鍵技術,研究核心典型神經網絡基於存內計算的優化部署及可重構架構技術,部署麵向音頻、視頻等典型智能處理場景的應用驗證。

  2.高集成感存算一體芯片

  麵向物聯網、智能無人係統、自動駕駛等係統中對視覺傳感器智能化、小型化、低功耗、低延時等不同需求,研製視覺傳感-存儲-計算一體化(感存算一體)的高集成度高能效係統級芯片。研究將智能感知任務在模擬和混合信號域實現傳感信號處理的電路技術和軟硬件聯合優化方法;開發麵向典型智能視覺感知場景的算法;完成麵向超低功耗、超高速度需求的智能視覺感知場景應用驗證。

  (二)高端模擬芯片

  3.高精度ADC芯片

  麵向智能製造、測試裝備、儀器儀表等應用場景對高精度模擬參數(如電壓、電流、溫度、壓力等)測量的迫切需求,研發高精度ADC芯片。研究高線性度、低溫漂、低噪聲、低功耗的ADC芯片設計技術;研究數字輔助模擬電路設計技術以及高精度器件失配誤差校準技術;研究高信噪比、低諧波失真的模擬前端電路設計技術;完成麵向典型工業測控場景的功能驗證。

  4.高性能時鍾芯片

  麵向數據中心、通信及物聯網設備高速數據傳輸對高性能時鍾時間同步芯片的迫切需求,研製實現同步授時、高精度時間同步、低抖動任意頻率產生等適合各行業時鍾時間同步的係統級時鍾芯片。研究智能化算法控製時頻同步芯片係統架構;研究低抖動的時鍾抖動濾除鎖相環技術、高性能小數分頻技術、高精度時間誤差檢測技術;完成麵向典型場景的應用驗證或規模化商用。

  5.超高清長距離HDMI傳輸芯片

  麵向超高清長距離傳輸對高速、低功耗數據傳輸的迫切需求,研製48Gbps傳輸速率的HDMI2.1規格傳輸芯片;研究低功耗超高清視頻發送器及超高帶寬、自適應均衡視頻接收器;研究低抖動時鍾及展頻時鍾鎖相環路技術、基於相位插值的任意小數分頻時鍾產生技術;研究超高清視頻實時雙向傳輸技術;研究音頻嵌入提取及視頻壓縮技術;實現麵向超高清視頻長距離網線及光纖實時雙向傳輸的規模化商用。

  6.超高速低功耗接口芯片

  麵向高性能計算、數據中心等對高密度、低功耗、高可靠數據傳輸的迫切需求,研發可實現100Gbps及以上傳輸速率的超高速Serdes芯片。研究高速低功耗數據串化驅動發送和接收鏈路;研究多相位超低抖動時鍾產生電路和時鍾相位校準技術、接收端均衡技術、高速接口寬帶阻抗匹配技術;與具體的協議層結合形成符合標準的芯片,完成典型場景的應用驗證。

  (三)EDA工具

  7.通用參數化版圖單元設計軟件

  麵向先進集成電路製造工藝,研發通用參數化版圖單元設計軟件。研究參數化版圖單元的通用描述語言;研究通用描述語言的高效語法分析和抽象語法樹優化技術,研究虛擬版圖單元到目標版圖單元的自動生成技術;研究針對複雜模擬器件的虛擬版圖單元可複用高性能函數庫;研究虛擬版圖單元的可視化編輯和調試技術;研究虛擬版圖單元的DRC實時驗證技術;完成麵向後端版圖設計需求的應用驗證。

  8.集成電路測試綜合EDA工具

  麵向集成電路設計流程中對保障芯片質量的自動測試電路設計EDA工具的迫切需求,研發集成可測試性設計-測試生成-故障診斷一體化的集成電路測試綜合EDA工具。研究同時支持高故障覆蓋率與高故障區分率的邏輯電路測試向量生成方法,研究高並行故障仿真技術;研究同時支持故障測試與故障診斷的可測試性設計方法,研究針對多故障的邏輯電路診斷方法;完成測試綜合EDA工具在國產處理器芯片設計中的應用驗證及商業化應用。

  9.模擬電路寄生參數提取與分析平台

  麵向高端工藝模擬電路寄生參數提取與分析的需求,研發模擬電路寄生參數提取與分析工具平台。研究支持高端工藝下的各種寄生效應,包括etch效應、CMP效應、raised diffusion結構等對寄生參數的影響;研究芯片級準確快速的晶體管級寄生參數提取算法;研究支持多機模式的並行提取算法;研究基於寄生網表的大規模寄生參數分析技術;完成芯片級模擬電路寄生參數提取與分析工具在實際模擬電路芯片設計上的應用驗證。

  10.電源完整性仿真分析與診斷平台

  麵向多尺度結構先進封裝設計的電源完整性分析迫切需求,研發高效高精度電源完整性仿真分析與診斷平台。研究從厘米級到納米級的多層超大規模集成電路版圖的多個多邊形對齊和簡化處理技術、場域識別技術;研究係統級先進封裝結構的多尺度結構的網格剖分平台;研究求解場的超大規模稀疏矩陣並行求解技術;研究先進封裝設計版圖的錯誤診斷技術;實現先進封裝電源完整性分析的高效高精度仿真與診斷。

  二、支持額度及周期

  定額資助,第1-2項課題支持經費為500萬元,其他課題支持經費為400萬元。課題研究內容必須涵蓋對應子方向所列的全部內容。課題實施周期一般為2年,不超過3年。

  三、申報要求

  1.申報課題應具有較為明確的技術路線,較強的產業牽動力、貢獻力和社會效益,具有清晰、可量化的目標及考核指標。

  2.申報單位須為在北京地區注冊、具有獨立法人資格的企業或事業單位,具有相應的科研能力和條件,運行管理規範。鼓勵企業牽頭,產學研用結合。

  3.申報單位及申報負責人須符合《北京市科技計劃項目(課題)管理辦法》和《北京市科技計劃管理相關責任主體信用管理辦法》要求;近3年內在申請各級各類科研項目(課題)中無不良信用記錄。無行政處罰或違法記錄,無不良科研誠信記錄。

  4.申報單位為企業的,原則上可參與該專項申報不超過1項,課題投資總額和資金來源應明確說明,應提供相應配套經費,配套經費與科技經費比例不低於2:1。

  5.申報負責人作為負責人承擔北京市科技計劃項目(課題)原則上不超過2項,作為主要參加人員參與課題數原則上不超過3項。

  四、申報方式

  1.采取在線申報方式。申報單位通過法人一證通登錄“北京市科技計劃綜合管理平台-在線服務係統”(https://mis.kw.c3e5.com/)更新本單位信息後,申報人登錄係統並綁定單位,選擇對應的申報類型,完成實施方案填報,並上傳課題簡表(見附件,情況簡表及考核指標均不超過兩頁)以及申報課題所需的其他證明性材料。

  2.申報單位科研主管部門負責審核在線申報方案,申報時限內統一提交,下載打印申報清單後,一式一份加蓋單位公章,掃描成PDF文件後上傳至係統。

  3.課題申報受理截止日期為2022年8月28日24:00,屆時係統自動關閉。

  4.谘詢服務

  政策谘詢電話:010-88827942、010-88827943、010-88827945

  技術谘詢電話:010-58858680、010-58858685

  谘詢服務時間:9:00-12:00,14:00-17:30(工作日)

  附件:課題簡表

北京市科學技術委員會、中關村科技園區管理委員會    

2022年8月5日  

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